台积电将风险量产16nm技术

        12月16日上午消息（南山）据国外媒体报道，台积电发布了将在2013年年底开始风险量产（小批量生产）的16nm工艺技术，该技术主要用于移动终端和计算终端使用的SoC。这是台积电首次采用立体晶体管（FinFET）技术，与28nm工艺相比晶体管集成密度提高1倍，工作速度提升35%，功耗降低55%。

        目前台积电主流的是28nm工艺技术，并广泛应用于当前主流的移动终端产品。台积电已经启动20nm工艺的风险量产，16nm工艺也已经试制完成了SRAM、环形振荡器、以及ARM处理器内核A57芯片。

        台积电的主要竞争对手之一英特尔，目前已经能够采用14nm工艺为客户代工生产。今年2月份，英特尔凭借14nm工艺抢夺了台积电客户Altera的可编程芯片订单。